Технологическая автоматизация

Методы цифровых технологий

Технологический процесс производства микроакселерометра

Длительность

операции - 30минут

Оборудование - печь для сушки пластин

. Экспонирование (первый шаблон)

Оборудование - EVG - 420

Aligner

Дополнительное

оборудование - комплект шаблонов

Держатель - металлический зажим

. Проявление фоторезиста

Проявитель - MF - 319

Фоторезист - Shipley 1813

Температура - 25оС

Оборудование - Ванна для проявления

Дополнительное

оборудование - тефлоновые подставки, тефлоновые держатели

. Сушка проявленного фоторезиста

Параметры операции и оборудование:

Среда- воздух

Давление - атмосферное

Температура- 110оС

Время операции - 30 мин.

Оборудование - Печь для сушки пластин

Дополнительное

оборудование - металлические держатели

IX. Травление поликремния (PolySi) по второму шаблону

. Травление поликремния

Глубина травления - 0,1 - 2 мкм

Среда - хлор

Аспектное соотношение - 10:1

Скорость травления - 0,35мкм/мин

Материал - поликремний

Давление - 400*10-5

Температура - 80оС

Диаметр пластин - 100 мм

Держатель - зажим из нержавеющей стали

Толщина пластины - 200 - 500 мкм

X. Травление жертвенного слоя SiO2

Компоненты модуля:

Глубина травления - 0,1 - 2 мкм

Технологическая

среда - фреон

Скорость травления - 0,5 мкм/мин

Аспектное соотношение

(глубина отверстия/диаметр) - 10:1

Давление - 2,8*10-2 Па

Температура процесса - 120оС

Селективность процесса- средняя

Оборудование - плазмохимический реактор TEGAL 803

Дополнительное оборудование - алюминиевый зажим

.4 Технологический маршрут изготовления микроакселерометра

Рисунок 2.1. Химическая очистка Si

Рисунок 2.2. Осаждение Si3N4 (диэлектрик)

Рисунок 2.3. Осаждение SiO2 (жертвенный слой)

Рисунок 2.4. Фотоэкспонирование и проявление фоторезиста

Рисунок 2.5. Травление окон в SiO2

Рисунок 2.6. Осаждение поликремния

Рисунок 2.7. Фотолитография конструкции (экспонирование, проявление ФР)

Рисунок 2.8. Травление поликремния

Рисунок 2.9. Удаление жертвенного слоя SiO2 Перейти на страницу: 1 2 3 

Другие статьи по теме:

Информационно-измерительная система Целью данной курсовой работы является анализ информационно-измерительной системы (ИИС), определение типа топологии и оптимального пространственного расположения объектов ИИС, при которо ...

Использование среды Cadence Virtuoso для проектирования интегральных микросхем Принятая на сегодняшний день модель развития промышленности предполагает широкую роботизацию‚ создание гибких автоматизированных производств и отводит особое место микроэлектронике как с ...

Исследование звуковой системы ПК с помощью диодной пластины С ростом популярности беспроводных технологий расширяется и сфера их применения. В дипломной работе рассмотрено решение, построенное на принципе передачи медиаданных по беспроводным кан ...