Технологическая автоматизация

Методы цифровых технологий

Технологический процесс производства микроакселерометра

Длительность

операции - 30минут

Оборудование - печь для сушки пластин

. Экспонирование (первый шаблон)

Оборудование - EVG - 420

Aligner

Дополнительное

оборудование - комплект шаблонов

Держатель - металлический зажим

. Проявление фоторезиста

Проявитель - MF - 319

Фоторезист - Shipley 1813

Температура - 25оС

Оборудование - Ванна для проявления

Дополнительное

оборудование - тефлоновые подставки, тефлоновые держатели

. Сушка проявленного фоторезиста

Параметры операции и оборудование:

Среда- воздух

Давление - атмосферное

Температура- 110оС

Время операции - 30 мин.

Оборудование - Печь для сушки пластин

Дополнительное

оборудование - металлические держатели

V. Травление отверстий для точек крепления конструкции (PoliSi) к подложке (плазменное травление SiO2)

Компоненты модуля:

Глубина травления - 0,1 - 2 мкм

Технологическая

среда - фреон

Скорость травления - 0,5 мкм/мин

Аспектное соотношение

(глубина отверстия/диаметр) - 10:1

Давление - 2,8*10-2 Па

Температура процесса - 120оС

Селективность процесса- средняя

Оборудование - плазмохимический реактор TEGAL 803

Дополнительное оборудование - алюминиевый зажим

VII. Осаждение нелегированного поликремния (PolySi) по всей поверхности подложки (на слой SiO2)

Компоненты технологического модуля:

. RCA - химическая очистка подложки.

Характеристики процесса

Реактивы - NH3OH, DI, HCl, DI

Время процесса - 60 мин.

Область очистки - двусторонняя

Температура процесса - 75оС

Оборудование - MOS -процесс оборудование

Диаметр пластин - 75 - 150 мм

Держатель подложки - тефлоновый зажим

Толщина подложки - 200 - 1000 мкм

. Осаждение слоя легированного поликремния на поверхность подложки (SiO2)

Толщина слоя - 0.1 - 1 мкм

Скорость осаждения - 0,008 мкм/мин

Материал - поликремний

Давление в камере - 300*10-2

Шероховатость - 8 нм

Температура - 615оС

Оборудование - MRL печь - 321 - 2

Диаметр пластины - 100 мм

Держатель пластин - кварцевый зажим

Толщина подложки- 200 - 1000 мм

. Контроль толщины пластины

Оборудование - Nanometrics NanoSpec /AFT 4000

VIII. Фотолитография конструкции микроакселерометра

Компоненты модуля:

. Предварительная термообработка

Температура - 110оС

Время процесса 15 мин.

Оборудование - сушильная печь

Диаметр пластин - 100 - 150 мм

Держатель пластин - лодочка

Толщина пластин - 100 - 2000 мкм

. Дегидратация поверхности

Характеристики процесса:

Материал - HMDS

Оборудование - установка для нанесения фоторезиста

Держатель пластин - металлический зажим

Толщина пластин - 100 - 1000 мкм

. Нанесение фоторезиста (Shipley 1813)

Характеристики процесса:

Материал - фоторезист Shipley 1813

Толщина - 1,3 мкм

Оборудование - установка для нанесения фоторезиста

Дополнительное оборудование аналогично п.IV.2

. Сушка фоторезиста

Характеристики процесса:

Давление - атмосферное

Температура - 90оС Перейти на страницу: 1 2 3

Другие статьи по теме:

Исследование и разработка конструкции широкополосного симметрирующего устройства На сегодняшний день развитие НТП (научно технический прогресс) в области электроники все чаще приводит к созданию новых типов электронных приборов и к возможности проектирования на их ос ...

Комплексная система защиты информации на предприятии Прохождение производственной практики имеет большое значение в процессе подготовки будущих специалистов. Необходимость ее для студента заключается в том, что это отличная ...

Интегрированные информационные технологии Использование принципа интеграции в компьютерных системах относится к различным аспектам организации технологий: интеграция информации в базах и банках данных; интеграция программ в еди ...