Технологическая автоматизация

Методы цифровых технологий

Определение толщины обедненной области

Рис. 2.1 - Схематическое изображение полевого транзистора

С точки зрения функционирования ПТШ (см. рисунок 2.1) может рассматриваться как резистор с переменным сечением и, следовательно, переменным сопротивлением.

Под затвором, за счет образования барьера металл-полупроводник, даже без воздействия внешних напряжений, автоматически создается область, обедненная основными носителями заряда (на рисунке 2.1.а она показана как наиболее светлая область). Толщина обедненной области зависит от значения контактной разности потенциалов барьера Ub и определяется по формуле (2.1).

(2.1)

где q - элементарный заряд (q=1.6×10-19 Кл);

e0 - диэлектрическая постоянная (e0=8.85×10-12 Ф/м);

e - относительная диэлектрическая проницаемость GaAs (e=12.9);

N - концентрация основных носителей заряда (N=1024 м-3);

Ub - контактная разность потенциалов барьера (Vb=0.8 В).

м

Так как толщина области обеднения много меньше толщины эпитаксиального n-слоя (an=0,1 мк м), то используется транзистор с нормально открытым каналом.

Другие статьи по теме:

Анализ видов измерителей электроэнергии На сегодняшний день на предприятиях производственной сферы используются промышленные электросчетчики, в том числе электронные, многотарифные и многофункциональные. Данные счетчики облада ...

Построение кодера на основе многочлена Помехоустойчивое кодирование состоит в целенаправленном введении избыточности для того, чтобы появилась возможность обнаруживать и/или исправлять ошибки, возникающие при передаче по кана ...

Методы стабилизации коэффициента усиления оптических усилителей В настоящее время оптоволоконные сети являются самым перспективным видом информационных сетей, что обусловлено множеством их преимуществ. В то время как одна из проблем коаксиальных кабе ...